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[반도체장비산업] High NA EUV와 sel ective ALD 조회 : 8
증권가속보3 (1.241.***.228) 작성글 더보기
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2019/07/03 08:09
 
삼성전자가 투자자 포럼에서 5G, High NA EUV, sel ective ALD, 네트워크 장비와 같은 신기술을 공개. 반도체 공정 패러다임의 변화로 장비 업체들에 수혜가 가능


삼성전자가 투자자 포럼에서 반도체 공정 신기술을 소개

삼성전자가 6/26 투자자 포럼을 열고 5G, 반도체 신기술, 네트워크 장비 등에 대해 소개. 이 중 High NA EUV와 sel ective ALD에 대한 내용이 눈에 띔. High NA EUV란 차세대 노광장비 EUV의 NA(Numerical Aperture)를 0.33에서 0.55로 업그레이드한 장비. EUV보다 더 미세한 피치의 반도체 공정이 가능. sel ective ALD란 선택한 영역에만 미세 증착을 하는 기술. 해당 장비와 기술로 인한 반도체 업종 영향은 다음과 같음

1. 장비 업종에 수혜: EUV와 High NA EUV는 기존 공정의 패러다임 자체를 바꿈. 노광 장비 렌즈가 투과형에서 반사형으로 바뀜. 공장 건물부터 시작해 포토 레지스트, 마스크, 페리클, 증착, 식각, 진공 펌프, 가스 공급장치 등 장비 전반이 바뀜. 장비 대당 ASP가 상승. 이는 장비 업계 전반에 기회로 작용될 수 있음. 관련 업체로는 일본 호야, JSR, 미국 Veeco 등이 있음

2. 메모리 제한적 투자에 영향: 현재 DRAM 100K 캐파 투자 시 비용이 10조 수준. High NA EUV 장비 1대 가격이 3,500억원. High NA EUV 시대에는 같은 규모 투자 시 비용이 20조원 수준으로 증가. 천문학적 투자 비용 증가는 메모리 업체의 공격적인 투자를 어렵게 함. 중국 업체와 같은 신규 진입자의 진입을 제한하는 영향도 가능. 이는 향후 장기 메모리 수급에 긍정적

3. sel ective ALD 가시화: 미래의 기술로 여겨진 sel ective ALD에 관한 논의도 많아지고 있음. 노광 기술 개선이 어려워지며 대안 기술로 부각. 현재 ALD 장비를 잘 만드는 회사에 향후 기회가 있을 것으로 전망. 미세 공정이 어려워지며 현재 사용 중인 ALD 장비 수요도 늘어날 것으로 예상. 장비 제조업체로 국내 원익IPS, 주성엔지니어링이 있음

NH 도현우, 박주선



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