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[반도체] 삼성전자 시설투자 확대되면 조회 : 40
증권가속보3 (211.211.***.146) 작성글 더보기
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등급 대감
2020/01/16 07:36
 

- 국내 언론에 삼성전자 200K 시설투자(NAND Flash 110K, DRAM 40~50K 시스템LSI(비메모리) 40K) 전망 보도

- 시스템LSI는 12인치 선단공정 기준, 2020년 화성 20K 예상. 언론보도는 오스틴 증설 가시성 포함한 것으로 추정

- 메모리 반도체는 현실적으로 NAND Flash 80K(기존 65K + 검토 15K), DRAM 50K(기존 25K + 검토 25K) 추산

- 언론보도 내용 중에 투자자들이 관심 가질 내용은 DRAM 증설규모가 25K에 그치지 않고 50K가 될 만한 가능성

- 삼성전자는 DRAM 증설을 안 할 수 없는 상황임. 2020년 이내에 최소한 20K의 증설은 필요함. 이유는 다음과 같음

- ① DRAM 13라인에서 CIS 생산라인으로 10K 전환이 이루어지는데 장비를 재활용해도 공정 숫자가 늘어나므로 전환 시설투자 시 기존 DRAM 생산능력의 20K는 사라질(전환될) 것으로 전망

- ② DRAM 영업이익률이 전사 기준으로는 30% 내외이지만 13라인은 오래된 Legacy production line이므로 DRAM 마진이 전사 수준만큼 높지 않고 CIS 마진(1위 공급사 Sony 기준 24.6%)보다 낮을 것으로 전망

- ③ 따라서 DRAM 13라인을 CIS 생산라인으로 전환하는 것은 합리적. DRAM 생산능력 감소에 대응하는 증설 필요

- 2020년 상반기에 DRAM 25K 증설 이후 추가로 DRAM 25K 증설이 추진되더라도 속도는 업황에 따라 탄력적일 것

- DRAM 업황이 막 개선되었는데 DRAM 공급사들이 제품가격 반등 흐름을 훼손할 정도로 증설하지 않을 것이기 때문

- 시장 투자자들의 관심사는 시설투자 수혜주로 쏠릴 것으로 예상되며, 삼성전자의 LSI 증설 전망 감안 시 과거와 달리 삼성전자의 메모리향 및 비메모리향 exposure를 둘 다 보유한 공급사가 관심을 받을 것으로 전망

하나 김경민




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