중국 반도체업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 D램 제조의 미세화 수준을 11.
95나노미터(㎚)까지 올렸다. 삼성전자와 SK하이닉스 등이 2010년대 후반 양산했
던 기술 수준이다. CXMT가 추격 속도를 올리고 있다는 평가가 나온다.


20일 로이터통신에 따르면 CXMT는 5세대 D램 제조공정을 이용한 제품 양산에 들
어갔다고 이날 밝혔다. 로이터통신은 이에 대해 “중국이 글로벌 메모리
반도체 업체들과 경쟁할 강력한 경쟁자를 육성하는 데 도움이 될 수 있다&rdqu
o;고 평가했다.


해당 공정으로 생산한 24기가비트(Gb) LPDDR5X 신제품 2종도 공개했다. D램은
스마트폰, 컴퓨터 등에서 데이터를 임시 저장하는 메모리 반도체다. 그중에서도
LPDDR5X는 주로 스마트폰 등 휴대용 전자기기에 사용되는 저전력형 D램을 가리
킨다.


CXMT는 이번 제조 플랫폼이 높은 성능의 메모리 반도체를 더 낮은 비용·
;전력 소비량으로 생산하도록 설계됐다고 설명했다. 칩에서 데이터를 저장하는
메모리 배열의 핵심 구조 사이의 간격이 11.95㎚로 줄어들면서, 8Gb D램 기준
으로 웨이퍼당 칩 생산량은 이전 세대보다 50% 이상 증가한 것으로 전해진다.
회로를 더 촘촘하게 만들어 칩 하나의 크기를 줄이면서 웨이퍼 한장에서 생산할
수 있는 칩의 숫자가 늘었기 때문이다.


CXMT가 이날 공개한 LPDDR5X 신제품 2종은 기존 제품보다 50% 더 많은 데이터를
저장할 수 있다.


중국 최대의 D램 생산업체이자 글로벌 4위 업체인 CXMT는 지난 7월 기업공개(I
PO) 이후 본토 증시 시가총액 1위로 올라섰다. 최근에는 차세대 모바일 D램인
LPDDR6 양산을 공식화하기도 했다.


손주형 기자 handbro@hankyung.com



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