지난달 미국 실리콘밸리에서 열린 삼성 테크 데이 2018에서 미주 지역총괄인 최주선 부사장이 개회사를 하고있다.

삼성 반도체의 초격차 제품이 잇따라 출시를 기다리고 있다. 내년 상반기까지 전 세계 메모리 반도체 시장의 슈퍼호황이 주춤할 것으로 전망되는 가운데 삼성전자는 초격차 제품을 앞세운 시장 지배력 강화에 집중한다는 방침이다.

16일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 최근 파운드리(위탁생산) 부문에서 세계 최초로 극자외선(EUV) 노광 기술로 7나노 공정 웨이퍼 생산을 시작했다. 경쟁사이자 파운드리 업계 1위인 대만의 TSMC는 내년부터 EUV를 도입할 예정이다.

삼성전자는 D램에도 EUV 공정 도입을 추진하고 있다. SK하이닉스와 마이크론은 2~3년 이후부터 EUV를 공정에 도입을 검토하고 있다. 삼성전자의 선제 투자 실험이 성공할 경우 10나노 이하부터 경쟁사들과 공정 경쟁력 차이가 벌어질 것으로 업계는 보고 있다.

삼성전자는 또 6세대(128단) 3D 낸드플래시와 2세대 Z-SSD(솔리드스테이트드라이브)도 공개했다. 삼성전자는 92단에 이어 128단도 단일로 셀을 쌓는 싱글 스태킹으로 제조할 계획이다. 경쟁사들은 이미 64단부터 낸드 2개를 이어붙이는 더블 스태킹으로 전환했다.

반도체 업계 관계자는 "64단에서 좁혀진 업체간 기술력 차이가 92단부터 다시 벌어질 것"이라며 "낸드 단수가 올라갈수록 싱글 스태킹과 더블 스태킹간 제조 단가와 내구성 차이가 커진다"고 설명했다.

내년부터는 쿼드레벨셀(QLC) 시장도 열린다. QLC는 1개 셀에 비트 4개를 집어넣는 기술이다. 기존 트리플레벨셀(TLC) 대비 생산성이 30% 높다. 이 역시 삼성전자가 가장 앞섰다. QLC SSD는 내구성이 약한 단점이 있지만 삼성전자 92단 3D 낸드는 균일한 막질을 구현한 덕분에 QLC 적용 시에도 TLC 수준의 품질을 보인 것으로 알려졌다. 삼성전자는 QLC를 기반으로 한 SSD 제품을 내년에 출시할 계획이다.

스마트폰 시장 부진, 메모리 판매가격 부담 등으로 업계는 내년 상반기까지 메모리 시장이 부진할 것으로 보고 있다. 전반적인 공급과잉 현상이 나타내면서 재고 감축을 위한 판가 경쟁이 본격화할 것이란 분석이다. 다만 이같은 치킨게임 현상이 실제로 일어나면 초격차 기술력을 가진 삼성전자가 훨씬 유리하다는 평가다. 특히 미국의 중국 반도체 수출입 금지와 불황이 맞물리면서 중국의 반도체 굴기를 따돌릴 기회로 활용할 수도 있다.

업계 관계자는 "내년 중반께 낸드 판가는 원가 수준 이하로 하락할 우려도 있다"며 "이 때 상대적으로 여유가 있는 삼성전자와 SK하이닉스는 압도적인 기술력과 자금력으로 버틸 수 있지만 나머지 기업은 사정이 녹록지 않을 것"이라고 설명했다.

km@fnnews.com 김경민 기자

※ 저작권자 ⓒ 파이낸셜뉴스. 무단 전재-재배포 금지