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[반도체산업] 1200V 고전압 GaN 기술 개발 조회 : 142
 
Imec과 Aixtron이 기존에 SiC에서만 가능했던 1200V 고전압 어플리케이션을 위한 GaN 반도체 제조를 위한 기술 구현에 성공. 관련 장비 업체에 긍정적 영향 예상


1200V 고전압 어플리케이션 용 GaN 기술 구현 성공

반도체 연구기관 Imec과 장비 업체 Aixtron이 200mm 웨이퍼에서 1200V 어플리케이션에 적합한 GaN 버퍼 레이어 제조 가능성을 입증. 현재까지 전기차와 같은 1200V 고전압 어플리케이션은 SiC(실리콘 카바이드) 기술로만 가능했음. Aixtron은 GaN 반도체 제조를 위한 MOCVD 장비를 생산

SiC, GaN 등 화합물 반도체는 밴드갭이 기존 Si 반도체 대비 3배 이상 넒음. 동일 면적에서 10배 이상의 고전압에 견딜 수 있음. 화합물 반도체 기술을 사용하면 전력 반도체 크기가 작아지고 처리할 수 있는 전류 값이 높아짐. 온보드 충전, 전기차 인버터, 태양광 발전 인버터 등에 SiC, GaN 반도체가 사용되기 시작. SiC이 GaN보다 가격이 비싸고 고전압에 버틸 수 있는 능력이 커서 전기차 등 고부가 어플리케이션에 주로 사용

GaN 관련 생태계에 긍정적

GaN 기술은 200mm 웨이퍼에서 두꺼운 GaN 버퍼 레이어를 성장시키는 공정 난도가 높아 650V 이상 작동 성능 구현이 어려웠음. Imec과 Aixtron이 기존 CMOS와 유사한 공정이 가능한 Qromis QST 기판에 1200V 어플리케이션에 적합한 GaN 버퍼 레이어 에피 성장을 구현. 향후 20V에서 1200V까지 GaN 기반 기술 적용이 가능

향후 SiC보다 저렴한 GaN 기술로 고성능 화합물 반도체 제조가 활발해질 것으로 예상. GaN 반도체 제조 공정은 GaN 레이어 증착을 위한 MOCVD 장비가 중요. MOCVD 장비는 미국의 Veeco와 독일의 Aixtron 등이 주로 제조. 관련 산업에 긍정적 영향이 가능할 것으로 전망

NH 도현우





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