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[반도체산업] 포크시트 FET 시연 조회 : 509
증권가속보3 (180.71.***.10) 작성글 더보기
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등급 대감
2021/06/21 09:26
 
VLSI 2021 컨퍼런스에서 포크시트 FET이 시연될 계획. 포크시트는 듀얼 다마신을 대체하는 세미 다마신 공정 등이 필요. 공정 난도가 크게 증가할 전망. 글로벌 반도체 장비 업종에 긍정적


GAA 뒤를 있는 포크시트 FET 시연

이번주 VLSI 2021 컨퍼런스에서 Imec이 포크시트 FET을 시연할 계획. 포크시트는 2022년부터 도입될 GAA(Gate All Around) 공정을 있는 차세대 트랜지스터 아키텍처. GAA와 달리 게이트 패터닝 전에 pMOS, nMOS 사이에 절연벽을 구현해 p, n 게이트 트렌치를 물리적으로 분리. 이전 FinFET와 GAA 대비 크게 축소된 17nm의 n-p 간격이 가능

pMOS와 nMOS가 가깝게 붙으면서 게이트 드레인 오버랩이 작아져 성능이 향상. 스탠다드 셀 높이는 5T에서 4.3T로 개선할 수 있음. 포크시트 아키텍처에선 BEOL 레이어의 금속 피치가 20nm 이하로 작아짐. BEOL과 MOL 공정에 Cu 듀얼 다마신을 대체하는 세미 다마신 공정 등이 필요

세미 다마신 등 공정 어려움 증가

세미 다마신은 커패시턴스를 제어하면서도 인터커넥트의 높이를 증가시켜 RC에 이점. 기존과 다른 대체 금속이 사용되고 에어갭 공정이 확대. 선택적 증착 장비가 도입되는 등 공정 어려움이 극한으로 증가할 전망. 선택적 증착 장비는 AMAT과 Lam Research 등이 개발 중. 공정 어려움 확대는 글로벌 반도체 장비 업체에 수혜

현재 로직 반도체, 파운드리 주력 공정은 5nm. 2022년 3nm 공정 양산이 시작될 전망. 삼성전자가 FinFET의 뒤를 있는 GAA를 3nm에 도입할 계획. TSMC는 3nm 까지 기존 FinFET을 계속 적용하고 2nm 공정부터 GAA를 적용할 계획

NH 도현우





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