[ 이수빈 기자 ] SK하이닉스는 기술 혁신을 통한 제품 개발로 미래 반도체 시
장을 주도하겠다는 전략이다.

올해 SK하이닉스는 1Y㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) LPDDR5 공급을 확대
하고, 256GB(기가바이트) 이상의 고용량 낸드플래시와 결합한 LPDDR5 uMCP의 시
장을 키워나갈 계획이다. 올해 초고속 고부가 D램 제품인 HBM 수요는 2020년 대
비 두 배 이상 성장할 것으로 회사 측은 내다봤다.

지난해 10월 SK하이닉스는 세계 최초로 DDR5 D램을 출시했다고 발표했다. 이 제
품은 전송 속도가 4800~5600Mbps로 이전 세대인 DDR4의 3200Mbps 대비 최대 1.
8배 빨라졌다. 동시에 동작 전압은 1.2V에서 1.1V로 낮아져 전력 소비가 20% 감
축됐다. 또한 칩 내부에 오류정정회로(ECC)를 내장해 여러 원인에 의해 발생할
수 있는 디램 셀 1비트(Bit)의 오류까지 스스로 보정할 수 있게 한 점도 특징
이다. SK하이닉스 DDR5를 채용하는 시스템의 신뢰성은 약 20배 향상될 것으로
예상했다.

SK하이닉스는 지난해 하반기부터 3세대 10나노급(1z) D램 제품 양산에 들어갔다
. 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 1z 미세공정 기
술을 적용할 계획이다. 또한 지난해 말 운영을 시작한 이천 M16 팹에는 EUV 전
용 클린룸이 마련돼 1A㎚(10나노 4세대) D램부터 EUV 기술을 적용해 생산할 계
획이다.

이어 작년 12월에는 업계 최고층인 176단 512Gb TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래
시를 개발했다. SK하이닉스는 96단 낸드플래시부터 CTF(차지트랩플래시)와 고집
적 PUC(페리언더셀) 기술을 결합한 4D 제품을 시장에 선보이고 있다. 새로 개발
한 176단 낸드는 3세대 4D 제품으로 업계 최고 수준의 웨이퍼당 생산 칩 수를
확보했다.

이 제품의 비트 생산성은 이전 세대보다 35% 이상 향상됐다. 2분할 셀 영역 선
택 기술을 새롭게 적용해 셀에서의 읽기 속도는 이전 세대보다 20% 빨라졌다.
SK하이닉스는 올해 소비자용 SSD와 기업용 SSD를 순차적으로 출시하며 시장을
확대해 나갈 계획이다.

이수빈 기자 lsb@hankyung.com


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