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삼성보다 또 빨랐다…미 마이크론, 차세대 D램 출하 시작
한국경제 | 2021-01-27 16:10:48
낸드플래시 5위, D램 3위인 미국 마이크론테크놀로지가 지난해 말 업계 최고 단
수인 176단 낸드플래시를 가장 먼저 출시한 데 이어 D램 분야에서도 삼성전자와
SK하이닉스 등 국내 기업보다 먼저 차세대 제품을 내놨다.

26일(현지시간) 마이크론은 대만 팹(반도체 공장)에서 10나노급 4세대 D램(1&a
lpha; D램) 대량 출하를 시작했다고 밝혔다. DD4 규격 PC용 D램으로 제작되고
있는 1α D램은 기존 최상급인 10나노급 3세대(1z) 다음 세대 제품이다.

이로써 마이크론이 반도체 업계 중 처음으로 1α D램을 출하한 업체가 됐
다. D램 제조사들은 1세대 제품인 1x 출하 이후 회로 선폭을 줄이며 공정에 따
라 2세대(1y), 3세대(1z), 1α 등으로 명명한다. 이번에 마이크론이 출시
한 제품은 13~14나노 내외로 알려졌다.

스캇 드보어 마이크론 기술·제품담당 수석부사장은 "4세대 10나노
급 D램은 3세대보다 메모리밀도가 40% 향상됐다"며 "미래 제품과 메
모리 혁신을 위한 견고한 기반이 될 것"이라고 설명했다.

관심은 마이크론이 D램 점유율 1, 2위인 삼성전자와 SK하이닉스보다 더 빠르게
차세대 제품을 내놓았다는 점이다. 양사는 올해부터 생산 수율이 뛰어난 극자
외선(EUV) 공정을 도입해 차세대 D램 생산을 본격화할 계획이다. 반면 마이크론
은 기존 불화아르곤(ArF) 공정으로 이번 1a D램을 양산한 것으로 전해졌다.

앞서 마이크론은 지난해 11월 삼성전자와 SK하이닉스의 128단을 제치고 176단
3차원(3D) 낸드플래시 출시 소식을 가장 먼저 전하기도 했다. 낸드플래시는 단
수가 높을수록 저장 용량이 높다. 삼성전자는 아직 공식적으로 7세대 V낸드 관
련 일정을 밝히지 않았고, SK하이닉스는 같은 해 12월 176단 제품을 개발했지만
제품 생산은 아직이다.

배성수 한경닷컴 기자 baebae@hankyung.com


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